大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于IGBT工艺制程书籍推荐的问题，于是小编就整理了2个相关介绍IGBT工艺制程书籍推荐的解答，让我们一起看看吧。
比亚迪有光刻机吗？
比亚迪目前没有光刻机。
比亚迪目前没有光刻机，比亚迪本身也涉及芯片行业，但主要是车规级芯片，2020年比亚迪推出IGBT5.0车规芯片，对标国内同行沟槽型芯片，其代工厂为华虹，而且该芯片为90纳米制程。由此看来，比亚迪是涉及芯片设计的，但并不涉及芯片制造。所以，比亚迪并没有光刻机。
没有ASML光刻机，中芯国际为何能搞定14nm？
截至目前，上海集成电路产业规模达到2500亿，14纳米先进工艺规模实现量产，另外国产90nm光刻机技术也取得了突破。
看到这个消息，很多网友可能纳闷，目前荷兰的ASML不是没有出口光刻机给我们吗，为何上海能实现14nm芯片的量产呢？
其实ASML的光刻机分多种类型，整体分为两类，一类是EUV光刻机，目前这类最先进的光刻机他们并没有出口给我国；另一类是DUV光刻机，DUV光刻机是可以正常出口的，而且目前大陆已经成为ASML的DUV光刻机的重要出口目的地，除了EUV光刻机之外，ASML其他型号光刻机大约有30%左右是出口到中国大陆的。
当然，根据分辨率不同，DUV光刻机也分为多个类型，根据波长不同，DUV光刻机可以分为三个大类型，分别是KRF、ARF和ARFi三种，对应的波长分别是248纳米、193纳米和134纳米。
其中ARFi通过对物镜、光源等进行改进之后，分辨率最高可以做到38nm，最后通过芯片制造厂家工艺改进并进行多次曝光之后，可以用于生产28nm、14nm、10nm甚至7nm的芯片，之前台积电就曾经使用ARFi光刻机制造出了7nm的芯片。
而这次上海实现14nm芯片的量产使用的其实也是荷兰ASML的ARFi光刻机，而不是国产光刻机。
目前国产光刻机最高分辨率只有90nm，由上海微电子研发生产，这个光刻机经过多次曝光之后最高可以用于生产65nm的芯片，这类芯片其实也可以满足市场大部分产品的需求，目前大部分电子产品的芯片制程其实都低于90nm。
这问题应该问的有点问题，中芯还是有阿斯麦的机器的。
不过倒是可以借机澄清一个误会。在舆论口，往往大家以为14nm芯片需要14nm光源的光刻机来造，实际上并不是，而是通过高nm光源多次曝光实现的。这个内容有心的可以去翻台积电的资料，大家都是这么玩过来的。
中芯国际现在搞定14纳米工艺用的光刻机，也是ASML卖给中芯国际的。所以，说没用ASML光刻机，中芯国际搞定14纳米工艺就是说梦话了。
现在中芯国际的14纳米工艺技术，就是台积电在2015年的时候，在ASML还没有出品EUV光刻机，生产14纳米工艺芯片的技术线路。由于中芯国际从台积电挖来了许多工程师，实际上也就将台积电的技术线路思路挖过来了。现在中芯国际实际上就是“复刻”了台积电当年用ASML的DUV光刻机生产14纳米工艺芯片的技术。
在ASML还没有出品EUV光刻机的时候，2015年台积电就将工艺推到了14纳米的水平。靠的就是这个ASML上一代的DUV光刻机多次曝光技术。ASML上一代的浸没式DUV光源的光刻机，一次曝光可以生产的最小尺寸是28纳米。台积电就开发出来了这个多次曝光技术，用DUV光刻机也能生产尺寸小于28纳米的芯片。这一技术的极限是7纳米工艺。
所以，当中芯国际挖过来台积电工程师的时候，也就将台积电的这个技术思路一起挖过来了。既然台积电已经把这条技术线路走通了，中芯国际就只管推下去，不用担心技术线路走错了。所以，就经过摸索，用ASML上一代的DUV光刻机，“复刻”出来了台积电曾经实现的技术，也就生产出来了14纳米工艺，甚至7纳米工艺的芯片了。
当前，台积电因为拥有了EUV光刻机，所以就将7纳米芯片的生产也转到用EUV来做，原因就是用EUV技术线路的成本低于DUV技术线路。但中芯国际没有EUV光刻机，就只能是“复刻”出来台积电在2015年用DUV生产14纳米的这个技术线路了。据说，台积电现在因为手里EUV的数量不足，所以DUV多次曝光技术线路也在同时使用着。也就是说，中芯国际在这条DUV技术线路上，大致上追上了台积电的进度。
到此，以上就是小编对于IGBT工艺制程书籍推荐的问题就介绍到这了，希望介绍关于IGBT工艺制程书籍推荐的2点解答对大家有用。
